SiC器件动态参数测试系统

　　SiC器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET 的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

　　该套测试设备主要由以下几个单元组成：
　　开关特性测试单元
　　反向恢复测试单元
　　栅极电荷测试单元
　　安全工作区测试系统
　　结电容测试单元
　　栅极内阻测试单元
　　雪崩耐量测试单元

　　该套测试设备的功能范围：
　　可对各类型 Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT 和 SiC·二极管、SiC·MOSFET、 SiC·IGBT 等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。

　　环境要求 :
　　1、环境温度：15—40℃
　　2、相对湿度：存放湿度不大于 70%
　　3、大气压力：86Kpa—106Kpa
　　4、电网电压：AC220V±10%无严重谐波
　　5、电网频率：50Hz±1Hz
　　6、电源功率：20KW
　　7、供电电网功率因数：＞0.9
　　8、气源要求：≥0.6Mpa
　　9、无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。

　　该套测试设备的系统功能:
　　• 系统采用图形化操作界面，界面友好、易操作，具有控制及监测界面编辑功能。
　　• 系统对测试过程中的数据能进行实时记录、运算、存储、分析；采集及记录频率要求和示波器采样频率一致，示波器刻度和采样点数均可以设置。
　　• 在被试品性能测试过程中，能实时监控试验电源、测量和分析相关电参数的功能，能实时监控被试品的各项参数指标，能实时监测加热基板的温度，可根据采集值和限制值进行相关报警；测试参数和相关监控参数均可在软件上显示和设置。
　　• 设备能对系统的状态进行检测，如系统有故障，能发出故障信号和对主要故障进行提示。
　　• 该设备能够借助虚拟仪器系统中的 I/O 实现系统的控制功能。
　　• 设备高度自动化，能实现数据后台处理，分析，并上传数据至后台数据库实时监控比对。
　　• 在测试过程中，如有的测试单元有故障，可手动结束测试。
　　• 实现计算机的指令信息以及来自测试平台的状态信息的综合处理功能。
　　• 当被测器件短路时，系统具有短路检测及保护功能。
　　• 测试负载电感能通过测试系统实现自动切换。
　　• 通过扫描枪输入被测器件编码型号。
　　• 设备通过计算机实现对数据的采集和处理，显示不同参数的测试结果。
　　• 当被测器件短路时，系统具有短路检测及保护功能。
　　• 测试平台的安全系统由测试电路及电源、各种保护、门安全系统等组成，在设备后门没有关闭的情况下，设备不能带电。
　　• 测试夹具是一个固定的独立系统，不同器件配备不同的适配器。
　　• 该设备设置有紧急停止功能。
　　• 该测试台各部分技术成熟可靠、结构尽量紧凑，外形美观，具有良好的测试稳定性能。
　　• 高压电容器均有放电设施和安全接地开关，在设备不工作的情况下，所有电容器都安全接地；
　　• 操作夹具设有安全接地开关，设备不测试时被测输出端安全接地；
　　• 操作窗口设有安全气动门和安全光栅设备，防止操作者的手被夹。