SIC肖特基与普通肖特基二极管比较

　　

　　普通的肖特基二极管，就是硅肖特基二极管，它是一种金属与半导体接触的二极管，例如MBR2045CT,MBR20100CT等等。它有如下优点（或特点）：

　　1、硅肖特基二极管有一个比PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。
　　2、肖特基二极管另一个重要性能指标就是它的低反向恢复时间Trr，只有0.01微秒。
　　3、硅肖特基二极管比PN结器件的行为特性更像一个理想的开关。

　　但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。
　　上面已谈到硅肖特基二极管反向耐压较低，约250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。
　　什么是碳化硅(SiC)肖特基二极管呢？
　　碳化硅(SiC)肖特基二极管就是用SiC代替普通硅（Si)的肖特基二极管。它能够耐受较高的电压。下面是两种肖特基比较：

　　型号 IF(AV) VRRM(V) VF(V) IR(uA) 型号
　　MBR1560 15A 60 0.64 50 TO-220AC

　　SiC06A065T 18A 650 1.8V 50 TO-220AC

　　从上面表格可以看出，碳化硅肖特基除了可以耐压较高外，其它参数都不如普通肖特基，而且碳化硅肖特基由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。
　　碳化硅材料的进展已使部分碳化硅功率器件用于实际成为可能。但还有许多关键的技术问题需要解决。
　　现在要说批量投入、大规模进入商业应用还为时过早。我们业务可以跟客户沟通还是推荐MBR20200CT之类普通肖特基吧！

　　小贴士补充：
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