一、禁运是假。
首先爆料的是一家日本媒体《日经亚洲评论》,11月7日说ASML决定暂时中止向中芯国际交付EUV光刻机,原因可能是“担心刺激到美国”。
ASML和中芯都发表声明回复:没这样的事。
小日本搅局之心昭然若揭。
二、中芯暂时用不上EUV
光刻机光源分四代:
可见光:g线:436nm
紫外光(UV),i线:365nm
深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm
极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
实际上台积电,三星,英特尔,中芯的设备是一样的,都是第三代DUV光刻机(193nm深紫外沉浸式光刻机)。然后各自修炼,用FinFET技术,多重光罩的办法极尽所能地压榨这台机器的潜能。
目前台积电能做到7nm
三星英特尔10nm
中芯14nm。
台积电独揽100% 7nm芯片订单。三星眼红,想弯道超车,2018年引入并不成熟的EUV光刻机生产7nm制程,结果由于废品率太高,搞砸了高通的订单,高通不得已转头还找台积电的DUV7nm.
中芯目前正在做的,就是学台积电,沿用成熟的DUV193nm深紫外沉浸式光刻机继续10nm,7nm地爬。
从中芯的声明可以看出一些东西:“极紫外光(EUV)还在纸面工作阶段,未进行相关活动。公司先进工艺研发进展顺利。目前,研发与生产的连结一切正常,客户与设备导入正常运作。”
三、非要用EUV光刻机吗?
理论上EUV具有更短的波长,下一步的5nm,3nm制程应该用得上。但目前是不成熟的,有一大堆的问题没解决:衍射,漏电等等。
台积电2017年为抢占7nm市场,就继续用DUV,效果很好。英特尔有工程师甚至认为DUV延伸到3nm没问题。
EUV不是必须品,但可以节省光罩费用和生产时间。据说DUV7nm制程需80-90个光罩,改EUV的话只需60个左右。
不要盯着光刻机,那个人更重要
说的是中芯联席CEO梁孟松, 他是公认的芯片界的“大牛“,浸润式光刻机镜头就是他发明的。曾在台积电工作,为台积电立下了汗马功劳。后去了三星,迅速帮助三星提高了芯片工艺,甚至一度超过台积电的工艺,并拿下了苹果的部分A9芯片订单。
而在2017年底,这位“大牛”离开三星,回国加盟中芯国际,而后一年半左右,中芯国际从28nm的工艺,直接迈入了14nm的芯片工艺。
梁孟松就像一高级厨师,EUV、DUV是两把刀,哪些肉要快刀,哪些肉要厚刀,他最清楚。中芯目前的重点在于多培养优质厨师,这个还需要约5-8年。
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