关于荷兰禁运中芯光刻机的真实情况及其他
一、禁运是假。
首先爆料的是一家日本媒体《日经亚洲评论》，11月7日说ASML决定暂时中止向中芯国际交付EUV光刻机，原因可能是“担心刺激到美国”。
ASML和中芯都发表声明回复：没这样的事。
小日本搅局之心昭然若揭。
二、中芯暂时用不上EUV
光刻机光源分四代：
可见光：g线：436nm
紫外光（UV），i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
实际上台积电，三星，英特尔，中芯的设备是一样的，都是第三代DUV光刻机(193nm深紫外沉浸式光刻机)。然后各自修炼，用FinFET技术，多重光罩的办法极尽所能地压榨这台机器的潜能。
目前台积电能做到7nm
三星英特尔10nm
中芯14nm。
台积电独揽100% 7nm芯片订单。三星眼红，想弯道超车，2018年引入并不成熟的EUV光刻机生产7nm制程，结果由于废品率太高，搞砸了高通的订单，高通不得已转头还找台积电的DUV7nm.
中芯目前正在做的，就是学台积电，沿用成熟的DUV193nm深紫外沉浸式光刻机继续10nm，7nm地爬。
从中芯的声明可以看出一些东西：“极紫外光（EUV）还在纸面工作阶段，未进行相关活动。公司先进工艺研发进展顺利。目前，研发与生产的连结一切正常，客户与设备导入正常运作。”
三、非要用EUV光刻机吗？
理论上EUV具有更短的波长，下一步的5nm,3nm制程应该用得上。但目前是不成熟的，有一大堆的问题没解决：衍射，漏电等等。
台积电2017年为抢占7nm市场，就继续用DUV，效果很好。英特尔有工程师甚至认为DUV延伸到3nm没问题。
EUV不是必须品，但可以节省光罩费用和生产时间。据说DUV7nm制程需80-90个光罩，改EUV的话只需60个左右。
不要盯着光刻机，那个人更重要
说的是中芯联席CEO梁孟松， 他是公认的芯片界的“大牛“，浸润式光刻机镜头就是他发明的。曾在台积电工作，为台积电立下了汗马功劳。后去了三星，迅速帮助三星提高了芯片工艺，甚至一度超过台积电的工艺，并拿下了苹果的部分A9芯片订单。
而在2017年底，这位“大牛”离开三星，回国加盟中芯国际，而后一年半左右，中芯国际从28nm的工艺，直接迈入了14nm的芯片工艺。
梁孟松就像一高级厨师，EUV、DUV是两把刀，哪些肉要快刀，哪些肉要厚刀，他最清楚。中芯目前的重点在于多培养优质厨师，这个还需要约5-8年。
首先爆料的是一家日本媒体《日经亚洲评论》，11月7日说ASML决定暂时中止向中芯国际交付EUV光刻机，原因可能是“担心刺激到美国”。
ASML和中芯都发表声明回复：没这样的事。
小日本搅局之心昭然若揭。
二、中芯暂时用不上EUV
光刻机光源分四代：
可见光：g线：436nm
紫外光（UV），i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
实际上台积电，三星，英特尔，中芯的设备是一样的，都是第三代DUV光刻机(193nm深紫外沉浸式光刻机)。然后各自修炼，用FinFET技术，多重光罩的办法极尽所能地压榨这台机器的潜能。
目前台积电能做到7nm
三星英特尔10nm
中芯14nm。
台积电独揽100% 7nm芯片订单。三星眼红，想弯道超车，2018年引入并不成熟的EUV光刻机生产7nm制程，结果由于废品率太高，搞砸了高通的订单，高通不得已转头还找台积电的DUV7nm.
中芯目前正在做的，就是学台积电，沿用成熟的DUV193nm深紫外沉浸式光刻机继续10nm，7nm地爬。
从中芯的声明可以看出一些东西：“极紫外光（EUV）还在纸面工作阶段，未进行相关活动。公司先进工艺研发进展顺利。目前，研发与生产的连结一切正常，客户与设备导入正常运作。”
三、非要用EUV光刻机吗？
理论上EUV具有更短的波长，下一步的5nm,3nm制程应该用得上。但目前是不成熟的，有一大堆的问题没解决：衍射，漏电等等。
台积电2017年为抢占7nm市场，就继续用DUV，效果很好。英特尔有工程师甚至认为DUV延伸到3nm没问题。
EUV不是必须品，但可以节省光罩费用和生产时间。据说DUV7nm制程需80-90个光罩，改EUV的话只需60个左右。
不要盯着光刻机，那个人更重要
说的是中芯联席CEO梁孟松， 他是公认的芯片界的“大牛“，浸润式光刻机镜头就是他发明的。曾在台积电工作，为台积电立下了汗马功劳。后去了三星，迅速帮助三星提高了芯片工艺，甚至一度超过台积电的工艺，并拿下了苹果的部分A9芯片订单。
而在2017年底，这位“大牛”离开三星，回国加盟中芯国际，而后一年半左右，中芯国际从28nm的工艺，直接迈入了14nm的芯片工艺。
梁孟松就像一高级厨师，EUV、DUV是两把刀，哪些肉要快刀，哪些肉要厚刀，他最清楚。中芯目前的重点在于多培养优质厨师，这个还需要约5-8年。
楼主：银河护卫队20000
时间：2019-11-14 08:12:50
作者：业余一级
时间：2019-11-14 10:36:45
作者：路顺01
时间：2019-11-14 10:54:09
作者：akyyll
时间：2019-11-14 11:07:32
作者：秦岭广缘皇柏栳
时间：2019-11-14 13:10:01
胡润：时至今日，中国人工智能专利数量已经是世界第一]
（观察者网讯 文/陈燕妮 编辑/尹哲）
20年间，中国的人工智能知识产权领域经历了一个大爆发。
11月13日，胡润研究院发布了《2019中国人工智能企业知识产权竞争力百强榜》，对500余家中国人工智能主流企业从综合强度、创新能力和技术成熟度三个维度进行定量评比。
根据榜单统计，中国已经逐渐成为计算机视觉、自然语言处理、机器学习专利申请的主要来源国。截至2018年，中国企业在这三个领域的专利申请总量均居世界第一。
胡润指出：“时至今日，中国人工智能专利数量已经是世界第一，美国的申请数量略低于中国位列第二，日本位列第三。”
企业排行上，华为以100分的IP（Intellectual Property ，知识产权）竞争力位列榜首，腾讯凭借99.7分紧随其后，百度AI以94.5位列第三。此外，小米、阿里巴巴、海康威视、科大讯飞、搜狗、国家电网和好未来等位列前十。
（观察者网讯 文/陈燕妮 编辑/尹哲）
20年间，中国的人工智能知识产权领域经历了一个大爆发。
11月13日，胡润研究院发布了《2019中国人工智能企业知识产权竞争力百强榜》，对500余家中国人工智能主流企业从综合强度、创新能力和技术成熟度三个维度进行定量评比。
根据榜单统计，中国已经逐渐成为计算机视觉、自然语言处理、机器学习专利申请的主要来源国。截至2018年，中国企业在这三个领域的专利申请总量均居世界第一。
胡润指出：“时至今日，中国人工智能专利数量已经是世界第一，美国的申请数量略低于中国位列第二，日本位列第三。”
企业排行上，华为以100分的IP（Intellectual Property ，知识产权）竞争力位列榜首，腾讯凭借99.7分紧随其后，百度AI以94.5位列第三。此外，小米、阿里巴巴、海康威视、科大讯飞、搜狗、国家电网和好未来等位列前十。
作者：秦岭广缘皇柏栳
时间：2019-11-14 13:13:28
@李仁瑞2015 2019-11-14 10:34:50
台湾的芯片工艺，世界领先，微电子技术也能独步全球，大陆要是能把台湾的工业体系整合进来，对中国工业进步相当有利。
-----------------------------
中芯国际产能接近满载：14纳米量产，中国区营收占比超六成
2019-11-13 14:13:38
（观察者网讯 文/吕栋 编辑/尹哲）
11月12日晚，半导体制造大厂中芯国际公布2019年第三季度财报。
财报显示，当季，中芯国际总营收8.165亿美元，环比增长3.2%，而上年同期为8.507亿美元。此外，该公司实现毛利1.698亿美元，环比增长12.3%；当期毛利率为20.8%，环比提升1.7个百分点。
值得注意的是，三季度，中芯国际净利润为8462.6万美元，同比增幅达1014.8%。该公司在财报中指出，客户库存消化，产能利用率提高，先进光罩销售增加，其三季度经营业绩优于预期。
不仅如此，中芯国际首次透露，第一代14nm FinFET已成功量产，四季度将贡献有意义的营收。另外，该芯片公司中国区营收占比达60.5%，当期整体产能利用率高达97%，接近满载。不过，财报中并没有提到7nm工艺等相关内容。
财报发布后，中芯国际13日跳空高开，盘中一度涨逾8%，市值重新站上500亿港元。
台湾的芯片工艺，世界领先，微电子技术也能独步全球，大陆要是能把台湾的工业体系整合进来，对中国工业进步相当有利。
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中芯国际产能接近满载：14纳米量产，中国区营收占比超六成
2019-11-13 14:13:38
（观察者网讯 文/吕栋 编辑/尹哲）
11月12日晚，半导体制造大厂中芯国际公布2019年第三季度财报。
财报显示，当季，中芯国际总营收8.165亿美元，环比增长3.2%，而上年同期为8.507亿美元。此外，该公司实现毛利1.698亿美元，环比增长12.3%；当期毛利率为20.8%，环比提升1.7个百分点。
值得注意的是，三季度，中芯国际净利润为8462.6万美元，同比增幅达1014.8%。该公司在财报中指出，客户库存消化，产能利用率提高，先进光罩销售增加，其三季度经营业绩优于预期。
不仅如此，中芯国际首次透露，第一代14nm FinFET已成功量产，四季度将贡献有意义的营收。另外，该芯片公司中国区营收占比达60.5%，当期整体产能利用率高达97%，接近满载。不过，财报中并没有提到7nm工艺等相关内容。
财报发布后，中芯国际13日跳空高开，盘中一度涨逾8%，市值重新站上500亿港元。
楼主：银河护卫队20000
时间：2019-11-14 13:40:24
作者：千里草0113
时间：2019-11-14 14:10:03
@路顺01 2019-11-14 10:54:09
28nm的光刻机，经过反复曝光处理，做到7nm是没问题的!台鸡店7nm的芯片，都是这种工艺!需要的是技术人员和经验，这是中国最欠缺的
-----------------------------
用于28纳米芯片光刻机，不可能做出7纳米芯片来。因为光刻的芯片越小，要求的光源波长就越短。光刻机经历了直接光刻、掩膜式光刻、浸入式光刻、深紫外光刻、极紫外光刻这几个演化阶段。28纳米芯片制程用的是浸入式光刻机，由于光源无法达到足够短的波光，因此对7纳米芯片是无法光刻，这跟曝光多少次无关。但是能够光刻22-18纳米，尺寸再小就不行了。
无论阿斯麦尔(ASML)卖不卖给中国最先进的极紫外光刻机（EUV），中国都必须尽早研制出具有自已知识产权的先进光刻机。否则说不准啥时候就会抽疯式的卡你的脖子。
实际上，（武汉）光电国家实验室甘棕松教授团队在2016年另辟溪径就研制出超衍射极限光刻机的原理样机，光刻出最小9纳米线段。2019年4月甘棕松团队又进一步研制出工程样机。同时还研制出用于超衍射极限的光刻胶。这距离商用型量产机只有一步之遥。9纳米经过多次曝光是能够光刻7—5纳米芯片的。
希望这一天早日到来。
28nm的光刻机，经过反复曝光处理，做到7nm是没问题的!台鸡店7nm的芯片，都是这种工艺!需要的是技术人员和经验，这是中国最欠缺的
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用于28纳米芯片光刻机，不可能做出7纳米芯片来。因为光刻的芯片越小，要求的光源波长就越短。光刻机经历了直接光刻、掩膜式光刻、浸入式光刻、深紫外光刻、极紫外光刻这几个演化阶段。28纳米芯片制程用的是浸入式光刻机，由于光源无法达到足够短的波光，因此对7纳米芯片是无法光刻，这跟曝光多少次无关。但是能够光刻22-18纳米，尺寸再小就不行了。
无论阿斯麦尔(ASML)卖不卖给中国最先进的极紫外光刻机（EUV），中国都必须尽早研制出具有自已知识产权的先进光刻机。否则说不准啥时候就会抽疯式的卡你的脖子。
实际上，（武汉）光电国家实验室甘棕松教授团队在2016年另辟溪径就研制出超衍射极限光刻机的原理样机，光刻出最小9纳米线段。2019年4月甘棕松团队又进一步研制出工程样机。同时还研制出用于超衍射极限的光刻胶。这距离商用型量产机只有一步之遥。9纳米经过多次曝光是能够光刻7—5纳米芯片的。
希望这一天早日到来。
作者：tyfrank1103
时间：2019-11-15 14:42:29
作者：鹭岛老汉
时间：2019-11-15 18:04:18
作者：陕西青年1
时间：2019-11-15 18:11:54
作者：少小未离家
时间：2019-11-15 18:50:55
作者：ty_等待黎明307
时间：2019-11-15 20:21:39
作者：两个人的誓言
时间：2019-11-17 08:10:25
作者：hidis131
时间：2019-11-17 10:18:02
作者：琴圣御清绝
时间：2019-11-17 12:16:59
作者：盛世中国统一2019
时间：2019-11-17 14:56:07
打脸楼主，看一下专业文章
光刻设备决定了晶圆的工艺能力，DEV光刻机工艺节点的极限是 10nm，EUV光刻机可望使工艺制程继续延伸到 7nm与 5nm。
光刻是制作半导体线路的关键制程，决定了线路的精密度。光刻(lithography)设备是一种投影系统，这个设备由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的掩模及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路;此制程被一再重复，就能将数以十亿计的 MOSFET或其他晶体管，建构在硅晶圆上，形为一般所称的集成电路。
半导体制程越先进，光刻设备便需要越精密复杂，包括高频率的激光光源、光掩模的对位精度、设备稳定度等等，集合了许多领域的最尖端技术。因此光刻机被誉为半导体产业皇冠上的明珠，具有高度的技术与资金门槛。能生产高端光刻机的厂商非常少，以荷兰ASML、日本Nikon、和日本Canon三大品牌为主。德国SUSS、美国MYCRO、以及中国部分品牌，能提供低端的接触式与接近式光刻机;上海微电子(SMEE)也已研制出中端投影式光刻机。但到 14nm及以下制程，目前只有阿斯麦的设备被晶圆业者用来投入量产，独步全球。
光刻机的进化迭代
产品价格高昂但技术领先，成为一线晶圆厂首选。阿斯麦推行部件外包与技术合作开发策略，专注于核心技术与客户需求。从 2000年后阿斯麦推出双工作台设备后，逐步占据市场统治地位，无论是设备的精度水平与工作效率均具有全球领先水平;尼康与佳能的自有研发比重高，牵制了产品规划的灵活性。在先进制程落后阿斯麦之后，目前最大的优势仅在于
成本，许多同类机型价格是ASML的一半甚至更低。
但是在逻辑及存储芯片所使用的先进制程中，设备能力与生产效率往往是晶圆业者的第一考量，所以尼康与佳能的销售机型，集中在 KrF或低阶的 ArF光刻机，用于在精度要求不高的制程，譬如LED与面板领域的投影光刻机，以及芯片封装使用的后道光刻机。由于毛利较高产品线被阿斯麦所掌控，这两家厂商只能缩减研发费用，尼康的设备能力已经落后阿斯麦一个世代，佳能的产品进度还要更慢。
阿斯麦持续推动行业制程水平
阿斯麦是光刻技术的重要推手。最早的光刻机采用接触式曝光，掩模直接贴在晶圆片上来进行曝光，容易有制程污染与掩模寿命问题;后来的接近式光刻机，利用气垫在掩模和硅片之间制造微小空隙，但也影响了成像精度。一直到 80年代的扫描投影曝光，利用光学镜头来调整距离与改善成像质量，才能做到微米(μm)以下的精度。阿斯麦在 1986时推出步进式(stepper)光刻机，提高掩模的使用效率与光刻精度，将半导体工艺制程向上提升一个台阶。
同时在 2001年推出采用双工作台设备，大幅提高工作效率与精度，成为市占率大幅提升的关键。 2007年推出浸没式(湿式)系统，在原有光源条件下缩短光波波长，自此确立了在光刻设备的龙头地位。
光刻机的光源是核心， EUV是下一代光刻的利刃。光刻机使用的光源有几项要求:
有适当的波长(波长越短，曝光的特征尺寸就越小)，同时有足够的能量，并且均匀地分布在曝光区。
实现光刻进步的直接方法，是降低使用光源的波长。早期的紫外光源是高压弧光灯(高压汞灯)，经过滤光后使用其中的 g线(436 nm)或 i线(365 nm)。其后采用波长更短的深紫外光光源，是一种准分子激光(Excimer laser)，利用电子束激发惰性气体和卤素气体结合形成的气体分子，向基态跃迁时所产生激光，特色是方向性强、波长纯度高、输出功率大，例如 KrF (248 nm)、 ArF(193 nm)和 F2(157 nm)等。使用 193nmArF光源的干法光刻机，其光刻工艺节点可达 45nm，采用浸没式与光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点可达 28nm。
主流光刻机的关键组成
首创双工作台，大幅提升生产效率。在 2000年前光刻设备，只有一个工作台，晶圆片的对准与蚀刻流程都在上面完成。公司在 2001年推出的 Twinscan双工作台系统，是行业的一大进步，使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片，同时在另外一个工作台进行预对准工作，并在第一时间得到结果反馈，生产效率提高大约 35%，精度提高 10%以上。双工件台系统虽然仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑，对工作台转移速度和精度有非常高的要求。阿斯麦的独家磁悬浮工件台系统，使得系统能克服摩擦系数和阻尼系数，其加工速度和精度是超越机械式和气浮式工件台。
双工作台光刻设备的构造示意图
浸没式光刻与二次曝光提升工艺能力，填补 EUV问世前的演进缺口。浸没式光刻是指在镜头和硅片之间增加一层专用水或液体，光线浸没在液体中曝光在硅晶片圆上;由于液体的折射率比空气的折射率高，因此成像精度更高。从而获得更好分辨率与更小曝光尺寸。
2002年业界提出了 193nm浸入式光刻的设备规划，由于 193nm的光谱在水中的折射率高达 1.44(折射率越高，蚀刻精度也越好)，等效波长缩短为 134nm，设备厂商只需对现有设备做较小的改造，就能将蚀刻精度提升 1-2个世代。阿斯麦首先推出 193nm的浸没式设备，效果优于 157nm光源的设备，成功将 90nm制程提升到 65nm，彻底打败选择干式蚀刻路线的尼康与佳能，是行业格局的重要转折。
到了 2010年后，制程工艺尺寸进化到 22nm，已经超越浸没式 DUV的蚀刻精度，于是行业开始导入两次图形曝光工艺，以间接方式来制作线路;即不直接曝光管线部分，而是先曝光出两侧管壁，间接形成线路区域。两次曝光虽然能制作比光源精度更高的集成电路，但副作用是光刻次数与掩模数量大增，造成成本上升及生产周期延长，所以波长更短、精度更高的光源，才是提升制程能力的关键。对于使用浸没式+两次图形曝光的 ArF光刻机，工艺节点的极限是 10nm。 EUV光刻机可望使工艺制程继续延伸到 7nm与 5nm。
浸没式光刻与二次图形曝光示意图
阿斯麦 EUV独步全球，
是近期核心驱动
半导体行业目前最大的瓶颈，在于摩尔定律的实现成本越来越大，制程微缩不再伴随晶
体管单位成本同步下降。在从 32/28nm节点迈进 22/20nm节点时，由于光刻精度不足，需使用二次曝光等技术来实现，设备与制作成本双双提高，晶体管的单位成本首次出现不降反升。
业界将希望寄托在极紫外光(EUV)微影技术，期望 EUV设备的高精度，能帮助厂商减少光刻的工序，提高 7nm以下的晶圆量产性。 2013年阿斯麦 EUV光刻设备研发成功，光源波长 22nm，技术逐步推进， 2017年的设备已采用最小 13nmEUV作为光源，超短波长使 7nm以下特征尺寸曝光得以实现。随着业界制程走向了 10nm以下，需要更高级的 EUV光刻系统，全球只有阿斯麦的 NXE系列能够满足需求。
EUV工艺聚集了多个领域的顶尖技术。 EUV要具备量产性，有几个技术瓶颈必须克服;首先在光源上。极紫外光的波长为 13.5nm，这种光容易被包括镜头玻璃内的材料吸收，所以需要使用反射镜来代替透镜;普通打磨镜面的反射率还不够高，必须使用布拉格反射器(Bragg reflector，一种复式镜面设计，可以将多层的反射集中成单一反射)。
此外，气体也会吸收 EUV并影响折射率，所以腔体内必须采用真空系统。为了解决 EUV的光源问题，2012年 10月，阿斯麦斥资 19.5亿欧元，收购其关键的光学技术提供商 Cymer，加速极紫外光(EUV)相关技术的开发。公司 2017年的 EUV设备 NXE 3400B，成功提高光源功率与精度，实现约 13纳米的线宽，并且采用磁悬浮系统来加速掩模及工作台，预期吞吐量可达每小时 125片晶圆，微影迭对(overlays)误差容许度在 3纳米以内。
在以往 DUV时期，需要以多重光罩才能实现的 7nm制程，新型 EUV系统可望只要单一光罩步骤就可完成;但在 5nm或以下的制程，还会面临多次图形曝光的问题，仍需要提高下一代 EUV设备在光源以外的能力。为此，公司在 2016年以 11亿美元收购光学大厂蔡司(CarlZeiss)的 24.9%股份，并承诺 8.4亿美元的研发投入，联手研发数值孔径(numericalaperture， NA)高于 0.5的镜头。第二代 EUV微影预计要到 2024年后量产，届时计划实现约 8纳米的线宽，每小时处理 185片晶圆，迭对误差容许度小于 2纳米。
阿斯麦此次大手笔投资蔡司进行共同开发，显示阿斯麦对于下一代 EUV设备的必胜决心。巨头导入 EUV的进程不一，设备需求能延续 3年以上。全球半导体产业在进入 7nm制程世代之后，可望是台积电、三星电子、格罗方德三强对决局面。 2012年，三星和台积电分别向阿斯麦注资 5亿和 15亿欧元，以加强与公司的战略合作;
根据调研机构 Anandtech所汇集的各家路线图，台积电是最快到达 7nm工艺制程的厂商。台积电对外宣布，针对高速运算市场，量身打造人工智能与数据分析专用的平台，预估 2018年 H1就具备 7nm量产能力;紧接着在 2019年的第二代 7nm，导入阿斯麦的 EUV设备，并有望同年试产 5nm制程产品。其他厂家方面，三星则决定在 2018年第一代的 7nm就直接让 EUV技术上线;格罗方德则承袭IBM技术自行研发 7纳米，同样预计 2018年下半年量产，但第一代是使用DUV，而导入 EUV需要到 2019年。 Intel则因成本考虑，要到 2021年才开始用 7nm工艺接替 10nm制程。
整体而言，公司在 2017Q3单季营收 18亿欧元，前三大产品线为ArF(63%)， EUV(21%)， KrF(10%)。 3D NAND客户对于 KrF干式光刻系统的需求持续升高，目前相关设备的未出货订单已累积超过 20台，显示出公司由中端到高端的产品均居市场领导地位。，
但是精度与效率不具备 10nm以下制程的生产效益;直到 2016年后的 3400B，光学与机电系统的技术有所突破，极紫外光源的波长缩短至 13nm，每小时处理晶圆 125片，或每天可1500片;连续 4周的平均生产良率可达 80%，兼具高生产率与高精度。随着芯片尺寸不断缩小， EUV设备未形成行业刚需，目前全球一线的逻辑晶圆与存储晶圆厂商，均采购阿斯麦 TWINSCAN机型，其中英特尔、三星、台积电三大巨头，纷纷入股阿斯麦，以谋求其高端光刻设备共同开发与优先应用。
由于公司的浸没式 EUV光刻设备，能帮助客户实行量产 7nm和 5nm的晶圆制程，并达到 2.5纳米的迭对精度，未来出货量可观。 2017年上半年，公司售出 2台 EUV设备， Q3单季度倍增到 4台;预计 Q4还有 6台交付，带来 3亿欧元单季收入，计划 2018与 19年均可出售超过 20台。
光刻设备决定了晶圆的工艺能力，DEV光刻机工艺节点的极限是 10nm，EUV光刻机可望使工艺制程继续延伸到 7nm与 5nm。
光刻是制作半导体线路的关键制程，决定了线路的精密度。光刻(lithography)设备是一种投影系统，这个设备由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的掩模及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路;此制程被一再重复，就能将数以十亿计的 MOSFET或其他晶体管，建构在硅晶圆上，形为一般所称的集成电路。
半导体制程越先进，光刻设备便需要越精密复杂，包括高频率的激光光源、光掩模的对位精度、设备稳定度等等，集合了许多领域的最尖端技术。因此光刻机被誉为半导体产业皇冠上的明珠，具有高度的技术与资金门槛。能生产高端光刻机的厂商非常少，以荷兰ASML、日本Nikon、和日本Canon三大品牌为主。德国SUSS、美国MYCRO、以及中国部分品牌，能提供低端的接触式与接近式光刻机;上海微电子(SMEE)也已研制出中端投影式光刻机。但到 14nm及以下制程，目前只有阿斯麦的设备被晶圆业者用来投入量产，独步全球。
光刻机的进化迭代
产品价格高昂但技术领先，成为一线晶圆厂首选。阿斯麦推行部件外包与技术合作开发策略，专注于核心技术与客户需求。从 2000年后阿斯麦推出双工作台设备后，逐步占据市场统治地位，无论是设备的精度水平与工作效率均具有全球领先水平;尼康与佳能的自有研发比重高，牵制了产品规划的灵活性。在先进制程落后阿斯麦之后，目前最大的优势仅在于
成本，许多同类机型价格是ASML的一半甚至更低。
但是在逻辑及存储芯片所使用的先进制程中，设备能力与生产效率往往是晶圆业者的第一考量，所以尼康与佳能的销售机型，集中在 KrF或低阶的 ArF光刻机，用于在精度要求不高的制程，譬如LED与面板领域的投影光刻机，以及芯片封装使用的后道光刻机。由于毛利较高产品线被阿斯麦所掌控，这两家厂商只能缩减研发费用，尼康的设备能力已经落后阿斯麦一个世代，佳能的产品进度还要更慢。
阿斯麦持续推动行业制程水平
阿斯麦是光刻技术的重要推手。最早的光刻机采用接触式曝光，掩模直接贴在晶圆片上来进行曝光，容易有制程污染与掩模寿命问题;后来的接近式光刻机，利用气垫在掩模和硅片之间制造微小空隙，但也影响了成像精度。一直到 80年代的扫描投影曝光，利用光学镜头来调整距离与改善成像质量，才能做到微米(μm)以下的精度。阿斯麦在 1986时推出步进式(stepper)光刻机，提高掩模的使用效率与光刻精度，将半导体工艺制程向上提升一个台阶。
同时在 2001年推出采用双工作台设备，大幅提高工作效率与精度，成为市占率大幅提升的关键。 2007年推出浸没式(湿式)系统，在原有光源条件下缩短光波波长，自此确立了在光刻设备的龙头地位。
光刻机的光源是核心， EUV是下一代光刻的利刃。光刻机使用的光源有几项要求:
有适当的波长(波长越短，曝光的特征尺寸就越小)，同时有足够的能量，并且均匀地分布在曝光区。
实现光刻进步的直接方法，是降低使用光源的波长。早期的紫外光源是高压弧光灯(高压汞灯)，经过滤光后使用其中的 g线(436 nm)或 i线(365 nm)。其后采用波长更短的深紫外光光源，是一种准分子激光(Excimer laser)，利用电子束激发惰性气体和卤素气体结合形成的气体分子，向基态跃迁时所产生激光，特色是方向性强、波长纯度高、输出功率大，例如 KrF (248 nm)、 ArF(193 nm)和 F2(157 nm)等。使用 193nmArF光源的干法光刻机，其光刻工艺节点可达 45nm，采用浸没式与光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点可达 28nm。
主流光刻机的关键组成
首创双工作台，大幅提升生产效率。在 2000年前光刻设备，只有一个工作台，晶圆片的对准与蚀刻流程都在上面完成。公司在 2001年推出的 Twinscan双工作台系统，是行业的一大进步，使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片，同时在另外一个工作台进行预对准工作，并在第一时间得到结果反馈，生产效率提高大约 35%，精度提高 10%以上。双工件台系统虽然仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑，对工作台转移速度和精度有非常高的要求。阿斯麦的独家磁悬浮工件台系统，使得系统能克服摩擦系数和阻尼系数，其加工速度和精度是超越机械式和气浮式工件台。
双工作台光刻设备的构造示意图
浸没式光刻与二次曝光提升工艺能力，填补 EUV问世前的演进缺口。浸没式光刻是指在镜头和硅片之间增加一层专用水或液体，光线浸没在液体中曝光在硅晶片圆上;由于液体的折射率比空气的折射率高，因此成像精度更高。从而获得更好分辨率与更小曝光尺寸。
2002年业界提出了 193nm浸入式光刻的设备规划，由于 193nm的光谱在水中的折射率高达 1.44(折射率越高，蚀刻精度也越好)，等效波长缩短为 134nm，设备厂商只需对现有设备做较小的改造，就能将蚀刻精度提升 1-2个世代。阿斯麦首先推出 193nm的浸没式设备，效果优于 157nm光源的设备，成功将 90nm制程提升到 65nm，彻底打败选择干式蚀刻路线的尼康与佳能，是行业格局的重要转折。
到了 2010年后，制程工艺尺寸进化到 22nm，已经超越浸没式 DUV的蚀刻精度，于是行业开始导入两次图形曝光工艺，以间接方式来制作线路;即不直接曝光管线部分，而是先曝光出两侧管壁，间接形成线路区域。两次曝光虽然能制作比光源精度更高的集成电路，但副作用是光刻次数与掩模数量大增，造成成本上升及生产周期延长，所以波长更短、精度更高的光源，才是提升制程能力的关键。对于使用浸没式+两次图形曝光的 ArF光刻机，工艺节点的极限是 10nm。 EUV光刻机可望使工艺制程继续延伸到 7nm与 5nm。
浸没式光刻与二次图形曝光示意图
阿斯麦 EUV独步全球，
是近期核心驱动
半导体行业目前最大的瓶颈，在于摩尔定律的实现成本越来越大，制程微缩不再伴随晶
体管单位成本同步下降。在从 32/28nm节点迈进 22/20nm节点时，由于光刻精度不足，需使用二次曝光等技术来实现，设备与制作成本双双提高，晶体管的单位成本首次出现不降反升。
业界将希望寄托在极紫外光(EUV)微影技术，期望 EUV设备的高精度，能帮助厂商减少光刻的工序，提高 7nm以下的晶圆量产性。 2013年阿斯麦 EUV光刻设备研发成功，光源波长 22nm，技术逐步推进， 2017年的设备已采用最小 13nmEUV作为光源，超短波长使 7nm以下特征尺寸曝光得以实现。随着业界制程走向了 10nm以下，需要更高级的 EUV光刻系统，全球只有阿斯麦的 NXE系列能够满足需求。
EUV工艺聚集了多个领域的顶尖技术。 EUV要具备量产性，有几个技术瓶颈必须克服;首先在光源上。极紫外光的波长为 13.5nm，这种光容易被包括镜头玻璃内的材料吸收，所以需要使用反射镜来代替透镜;普通打磨镜面的反射率还不够高，必须使用布拉格反射器(Bragg reflector，一种复式镜面设计，可以将多层的反射集中成单一反射)。
此外，气体也会吸收 EUV并影响折射率，所以腔体内必须采用真空系统。为了解决 EUV的光源问题，2012年 10月，阿斯麦斥资 19.5亿欧元，收购其关键的光学技术提供商 Cymer，加速极紫外光(EUV)相关技术的开发。公司 2017年的 EUV设备 NXE 3400B，成功提高光源功率与精度，实现约 13纳米的线宽，并且采用磁悬浮系统来加速掩模及工作台，预期吞吐量可达每小时 125片晶圆，微影迭对(overlays)误差容许度在 3纳米以内。
在以往 DUV时期，需要以多重光罩才能实现的 7nm制程，新型 EUV系统可望只要单一光罩步骤就可完成;但在 5nm或以下的制程，还会面临多次图形曝光的问题，仍需要提高下一代 EUV设备在光源以外的能力。为此，公司在 2016年以 11亿美元收购光学大厂蔡司(CarlZeiss)的 24.9%股份，并承诺 8.4亿美元的研发投入，联手研发数值孔径(numericalaperture， NA)高于 0.5的镜头。第二代 EUV微影预计要到 2024年后量产，届时计划实现约 8纳米的线宽，每小时处理 185片晶圆，迭对误差容许度小于 2纳米。
阿斯麦此次大手笔投资蔡司进行共同开发，显示阿斯麦对于下一代 EUV设备的必胜决心。巨头导入 EUV的进程不一，设备需求能延续 3年以上。全球半导体产业在进入 7nm制程世代之后，可望是台积电、三星电子、格罗方德三强对决局面。 2012年，三星和台积电分别向阿斯麦注资 5亿和 15亿欧元，以加强与公司的战略合作;
根据调研机构 Anandtech所汇集的各家路线图，台积电是最快到达 7nm工艺制程的厂商。台积电对外宣布，针对高速运算市场，量身打造人工智能与数据分析专用的平台，预估 2018年 H1就具备 7nm量产能力;紧接着在 2019年的第二代 7nm，导入阿斯麦的 EUV设备，并有望同年试产 5nm制程产品。其他厂家方面，三星则决定在 2018年第一代的 7nm就直接让 EUV技术上线;格罗方德则承袭IBM技术自行研发 7纳米，同样预计 2018年下半年量产，但第一代是使用DUV，而导入 EUV需要到 2019年。 Intel则因成本考虑，要到 2021年才开始用 7nm工艺接替 10nm制程。
整体而言，公司在 2017Q3单季营收 18亿欧元，前三大产品线为ArF(63%)， EUV(21%)， KrF(10%)。 3D NAND客户对于 KrF干式光刻系统的需求持续升高，目前相关设备的未出货订单已累积超过 20台，显示出公司由中端到高端的产品均居市场领导地位。，
但是精度与效率不具备 10nm以下制程的生产效益;直到 2016年后的 3400B，光学与机电系统的技术有所突破，极紫外光源的波长缩短至 13nm，每小时处理晶圆 125片，或每天可1500片;连续 4周的平均生产良率可达 80%，兼具高生产率与高精度。随着芯片尺寸不断缩小， EUV设备未形成行业刚需，目前全球一线的逻辑晶圆与存储晶圆厂商，均采购阿斯麦 TWINSCAN机型，其中英特尔、三星、台积电三大巨头，纷纷入股阿斯麦，以谋求其高端光刻设备共同开发与优先应用。
由于公司的浸没式 EUV光刻设备，能帮助客户实行量产 7nm和 5nm的晶圆制程，并达到 2.5纳米的迭对精度，未来出货量可观。 2017年上半年，公司售出 2台 EUV设备， Q3单季度倍增到 4台;预计 Q4还有 6台交付，带来 3亿欧元单季收入，计划 2018与 19年均可出售超过 20台。
作者：快乐南京
时间：2019-11-17 15:48:18
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作者：akyyll
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